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TPD65R600M
650V超结功率MOSFET
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- 描述
- 超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。SJ MOSFET是一款性价比优化的产品，可针对消费和照明市场中对成本敏感的应用。
- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPD65R600M
- 商品编号
- C596296
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 63W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 509pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 23pF |
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