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TPA120R800A
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:12A
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- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPA120R800A
- 商品编号
- C596290
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 620mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 34W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.573nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
采用先进的TrenchMOS超结技术，175 °C LFPAK56封装的180 A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。本产品专为高性能功率开关应用而设计并通过认证。
商品特性
- 连续最大漏极电流（ID(max)）额定值为180 A
- 雪崩额定，在雪崩电流（IAS）= 160 A时进行100%测试
- 强大的安全工作区（线性模式）额定值
- NextPower-S3技术实现“超快速开关与软体二极管恢复”
- 低反向恢复电荷（Qrr）、栅极电荷（QG）和栅极-漏极电荷（QGD），适用于高系统效率和低EMI设计
- 具有低体二极管正向电压（VSD）、低反向恢复电荷（Qrr）、软恢复和低漏源泄漏电流（IDSS）的肖特基增强型体二极管
- 利用NextPower-S3超结技术，针对4.5 V栅极驱动进行优化
- 高可靠性LFPAK（Power SO8）封装，采用铜夹和焊料芯片连接，可在175 °C下工作
- 外露引脚可进行波峰焊，便于目视检查焊点和保证焊接质量
- 低寄生电感和电阻
应用领域
-高性能同步整流-DC-DC转换器-无刷直流电机控制-电池保护-负载开关和电子保险丝-浪涌管理、热插拔