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SLP170C04D
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:10A 8A
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- 描述
- 该MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。它可用于各种应用。
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SLP170C04D
- 商品编号
- C5375299
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A；8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 53mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W；3.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V；1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF；850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF；68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET采用高单元密度工艺。低漏源导通电阻（RDS(on)）可确保功率损耗降至最低并节省能源，使该器件非常适合用于电源管理电路。典型应用包括DC-DC转换器、便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、电池充电器、电信电源系统和电话电源系统）的电源管理。
商品特性
- N沟道:VDS = 40 V,ID = -10 A,在VGS = -10 V时,RDS(ON) < 22 m Ω
- P沟道:VDS = -40 V,ID = -8 A,在VGS = -10 V时,RDS(ON) < 53 m Ω
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))。
- 封装散热性能良好。
应用领域
-DC-DC转换器-便携式和电池供电产品的电源管理-计算机-打印机-电池充电器-电信电源系统-电话电源系统