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SL4N150P
1个N沟道 耐压:1500V 电流:4A
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- 描述
- 这是一系列具有卓越性能的先进超高压功率MOSFET。强化的版图设计与专有的边缘终端结构相结合，使得单位面积的导通电阻RDS(on)达到最低，同时具备无可比拟的栅极电荷和开关特性。
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL4N150P
- 商品编号
- C5375312
- 商品封装
- TO-3PF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.408nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.8pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
AGM60P14D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 本征电容和 Qg 最小化
- 高速开关
应用领域
-开关应用