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SL18N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
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- 描述
- 是硅N沟道增强型VDMOSFET，通过自对准平面技术获得，可降低传导损耗，提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL18N20
- 商品编号
- C5375325
- 商品封装
- TO-220-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.78克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.318nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AGM612D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- VDS = 200V ID = 18A
- RDS(ON)< 150 m Ω@ VGS=10 V(典型值:120 m Ω)
应用领域
-不间断电源(UPS)-功率因数校正(PFC)