温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SL5N100D
1个N沟道 耐压:1kV 电流:5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：极高的dv/dt能力。 100%雪崩测试。 最小化栅极电荷。 极低的固有电容。 良好的制造重复性。应用：开关应用
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL5N100D
- 商品编号
- C5375309
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.968克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 483pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF |
商品概述
N沟道20 V（D - S）MOSFET，PowerPAK SO - 8单封装。PowerPAK是基于SO - 8封装开发的新型封装技术，PowerPAK SO - 8与标准SO - 8具有相同的占位面积和引脚排列，可直接替代标准SO - 8封装。作为无引脚封装，它利用整个SO - 8占位面积，能容纳比标准SO - 8更大的芯片，芯片底部的芯片附着垫暴露以提供直接的低电阻热路径，且封装高度低于标准SO - 8，适用于空间受限的应用。PowerPAK单封装使用简单，引脚排列和尺寸与标准SO - 8器件相同，连接焊盘与SO - 8直接匹配，只是漏极连接区域有所扩展，可安装到现有的SO - 8焊盘图案上。
商品特性
- 极高的dv/dt能力
- 经过100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 极低的固有电容
- 极佳的生产重复性
应用领域
- 开关应用