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SMUN5211DW

双NPN偏置电阻晶体管

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描述
偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT 通过将这些独立组件集成到单个器件中来消除它们。BRT 器件采用 SOT-363 封装,非常适合对电路板空间要求较高的低功率表面贴装应用。
品牌名称
Slkor(萨科微)
商品型号
SMUN5211DW
商品编号
C5375293
商品封装
SOT-363​
包装方式
编带
商品毛重
0.032克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录数字晶体管
数量2个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
属性参数值
耗散功率(Pd)385mW
直流电流增益(hFE)35@5mA,10V
电阻比率1.2

商品概述

BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在替代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中,从而省去了它们。在SMUN5211DW中,两个BRT器件封装在SOT - 363封装中,这对于电路板空间有限的低功耗表面贴装应用而言是理想选择。

商品特性

  • 简化电路设计
  • 减少电路板空间
  • 减少元件数量
  • 我们声明产品材料符合RoHS要求。

数据手册PDF