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SiR404DP-T1-GE3
SiR404DP-T1-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SiR404DP-T1-GE3
- 商品编号
- C5373029
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 735pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代互补双 MOSFET 的特点是，在低栅极驱动条件下可实现低导通电阻。
商品特性
- 第三代沟槽式场效应晶体管(TrenchFET Gen III)功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 适用于DC/DC应用的2.5 V和3.3 V栅极驱动MOSFET
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-固定电信-或门(OR-ing)-负载点(POL)
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