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AGM60P35F
1个P沟道 耐压:60V 电流:52A
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- 描述
- AGM60P35F将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM60P35F
- 商品编号
- C5373093
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 198pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 225pF |
商品概述
CJAC70SN15采用屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
-高功率和电流处理能力-负载开关-高密度单元设计,实现超低导通状态漏源电阻(RDS(ON))-符合无铅产品要求-具有高单脉冲雪崩能量(EAS),稳定性和一致性良好-采用散热性能良好的出色封装
应用领域
-开关电源和通用应用-硬开关和高频电路-不间断电源-电源管理