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IRFPG30PBF
1个N沟道 耐压:1000V 电流:3.1A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET提供快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-247AC封装适用于商业-工业应用，在较高功率水平下排除使用TO-220AB器件。TO-247AC与早期的TO-218封装类似但更优越，因其有隔离安装孔，还提供更大的引脚间爬电距离，以满足大多数安全规格要求。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFPG30PBF
- 商品编号
- C5373113
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.416克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 980pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
CPC3980是一款800V N沟道耗尽型场效应晶体管（FET），采用专有垂直DMOS工艺制造。该工艺可生产出具有高输入阻抗的坚固器件，凭借经济高效的硅栅极架构，实现了世界级的高压MOSFET性能。 与所有MOS器件一样，该FET结构可防止热失控和热致二次击穿，这使得CPC3980非常适合用于高功率应用。 CPC3980采用SOT - 223封装。
商品特性
-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-中央安装孔绝缘-快速开关-易于并联-驱动要求简单-符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 常开开关-固态继电器-转换器-电信-电源-电流调节器