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AGM60P100A
1个P沟道 耐压:60V 电流:140A
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- 描述
- AGM60P100A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM60P100A
- 商品编号
- C5373096
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V；6.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 686pF |
商品概述
AGM60P35F将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，提供极低的漏源导通电阻。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低漏源导通电阻，可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100%漏源电压变化率测试
应用领域
- 主板/显卡的核心电压
- 开关电源二次侧同步整流
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器