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AGM60P40A
1个P沟道 耐压:60V 电流:45A
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- 描述
- AGM60P40A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM60P40A
- 商品编号
- C5373094
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 147pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 222pF |
商品概述
SVGP157R2NS是一款采用士兰微LVMOS技术制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构专门设计用于最小化导通电阻，并提供卓越的开关性能。 该器件广泛应用于UPS和逆变器系统的电源管理。
商品特性
- 100A、150V，RDS(on)（典型值）= 6.2 mΩ @ VGS = 10 V
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- UPS-逆变器系统的电源管理