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AGM60P14A
1个P沟道 耐压:60V 电流:52A
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- 描述
- AGM60P14A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM60P14A
- 商品编号
- C5373088
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V；25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.263nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 138pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 175pF |
商品概述
RS4435采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至 -4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -10A
- 栅源电压（VGS） = -10V 时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 20 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -4.5V 时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 34 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理