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AGM60P30D
1个P沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- AGM60P30D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM60P30D
- 商品编号
- C5373092
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 114pF |
商品特性
- 全新革命性高压技术
- TO-247封装下具备更佳的导通电阻（RDS(on)）
- 超低栅极电荷，降低驱动要求
- 具备周期性雪崩额定值
- 集成快速恢复二极管
应用领域
- 开关模式电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）
- 服务器和电信设备的功率因数校正（PFC）级
- 电机控制