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CMSC63P04L
1个P沟道 耐压:40V 电流:50A
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- 描述
- CMSC63P04L将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。P沟道增强型MOSFET
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC63P04L
- 商品编号
- C5371905
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.072克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMSA90P04B采用先进技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关电源(SMPS)、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管(FET)。
商品特性
- 快速开关速度
- 更低的导通电阻
- 100%保证抗雪崩能力
- 驱动要求简单
应用领域
- 负载开关-笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理