温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MPF12N65
1个N沟道 耐压:650V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- MPF12N65采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPF12N65
- 商品编号
- C5352768
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 580mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.54nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 18.5pF@25V | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 175pF |
商品概述
ESB409L是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通态漏源电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESB409L为无铅产品。
商品特性
- -60V，栅源电压（VGS） = -10V时，导通态漏源电阻（RDS(ON)） = 27毫欧（典型值）
- 栅源电压（VGS） = -4.5V时，导通态漏源电阻（RDS(ON)） = 31毫欧（典型值）
- 快速开关
- 高密度单元设计，实现低导通态漏源电阻（RDS(ON)）
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 具有雪崩额定值
- 低泄漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式电脑的电源管理-DC/DC转换