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MPF12N65
1个N沟道 耐压:650V
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- 描述
- MPF12N65采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPF12N65
- 商品编号
- C5352768
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 580mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.54nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 175pF |
商品概述
ESB409L是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通态漏源电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESB409L为无铅产品。
商品特性
- 漏源电压VDS = 12 A,漏极电流ID = 650 V
- 导通电阻RDS(on)(典型值) = 0.58 Ω(栅源电压VGS = 10V,漏极电流ID = 6.0A)
- 低反向传输电容Crss:18.5pF(25V)
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源