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MPF20N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:20A
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- 描述
- MPF20N50是一款采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。这款晶体管适用于同步整流、逆变器系统、高速开关及通用应用。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPF20N50
- 商品编号
- C5352769
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.78克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 230W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术-电压控制小信号开关-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流
应用领域
- 电池供电系统-固态继电器-直接逻辑电平接口:TTL/CMOS