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MD50N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:50A
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- 描述
- MD50N20 硅 N 沟道增强型 MOSFET 采用先进的 MOSFET 技术制造，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MD50N20
- 商品编号
- C5352771
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 244nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.538nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- VDS = 250 V,VGS = 10 V、ID = 40 A时,Rdson < 48 mΩ(典型值:30 mΩ)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 开关电源(SMPS)
- 不间断电源(UPS)
- 功率因数校正(PFC)
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