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MPT042N10S
1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
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- 描述
- N沟道增强型功率MOSFET采用先进的双沟槽技术，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于电机驱动器和高速开关应用。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPT042N10S
- 商品编号
- C5352765
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 227.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.102nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 174pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO3416A是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品AO3416A为无铅产品。
商品特性
- VDS = 100 V,在VGS = 10 V、ID = 120 A时,Rdson < 4.2 mΩ(典型值:3.5 mΩ)
- 快速开关
- 低导通电阻(RDS(on) ≤ 4.2 mΩ)
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 高雪崩耐量
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 开关应用
- 电机驱动器