RN1106MFV,L3F
50V 100mA
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性:AEC-Q101合格(请参阅可订购的零件编号列表)。 超小型封装,适合非常高密度的安装。 集成偏置电阻减少了所需的外部零件数量,从而有可能减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有各种电阻值的晶体管,以适应各种电路设计。 与RN2101MFV至RN2106MFV互补。应用:开关。 逆变器电路
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- RN1106MFV,L3F
- 商品编号
- C5349733
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.005克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 80 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最小输入电压(VI(on)) | 700mV@5mA,200mV | |
| 最大输入电压(VI(off)) | 1.3V | |
| 输入电阻 | 4.7kΩ | |
| 电阻比率 | 0.1 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 超小型封装,适用于超高密度安装
- 集成偏置电阻减少了所需的外部元件数量,从而减小系统尺寸并缩短组装时间
- 东芝提供多种阻值的晶体管,以满足各种电路设计需求
- 与 RN2101MFV 至 RN2106MFV 互补
应用领域
- 开关逆变器电路
- 接口
- 驱动电路
- RN2302,LF
- SSM6J412TU,LF
- TB6568KQ(O,8)
- TBD62783AFWG(Z,EHZ)
- TC74LCX541F(EL,K,F
- TLP291(BLL,SE
- TLP292-4(TP,E
- DE1B3RA471KA4BN01F
- SEAM-40-11.0-L-10-2-A-K-TR
- MPM3686GRU
- MPM54504GBS-T
- ADX3202QAQFN32
- OPA504ASOT236
- LD501PCSOT-30
- LD501PCSOT-18
- LD501PCSOT-12
- TSR 1.5-2433E
- LFCG-3400+
- PAT1220-C-0DB-T5
- GRM155C81E105ME11J
- MX25R2035FZUIL0


