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SSM6J412TU,LF
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 特性：1.5V驱动低导通电阻: -RDS(ON) = 99.6mΩ（最大值） (VG S =-1.5V)。RDS(ON) = 67.8mΩ（最大值） (VG S =-1.8V)。RDS(ON) = 51.4mΩ（最大值） (VG S =-2.5V)。RDS(ON) = 42.7mΩ（最大值） (VG S =-4.5V)
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6J412TU,LF
- 商品编号
- C5349735
- 商品封装
- SMD-6P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42.7mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 99pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 118pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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