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SI2302CDS-T1-GE3-MS
1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- N-Channel增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术专门用于最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI2302CDS-T1-GE3-MS
- 商品编号
- C5343292
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 32pF |
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