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SI2323DS-T1-E3-MS
P沟道 耐压:20V 电流:4.5A
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- 描述
- P-Channel增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效率快速开关应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI2323DS-T1-E3-MS
- 商品编号
- C5343295
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品特性
- 60V、-1.8A，VGS = -10V时RDS(ON) = 200mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 有环保器件可选
应用领域
- 电机驱动
- 电动工具
- LED照明