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SI2303CDS-T1-GE3-MS
1个P沟道 耐压:30V 电流:3A
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- 描述
- P-Channel 增强模式功率场效应晶体管采用沟槽 DMOS 技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI2303CDS-T1-GE3-MS
- 商品编号
- C5343297
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 226pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 39pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -80A
- 栅源电压（VGS） = -10V时，导通电阻（RDS(ON)） ≤ 8mΩ
- 栅源电压（VGS） = -4.5V时，导通电阻（RDS(ON)） ≤ 11mΩ
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换