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BSS138LT1G-MS
1个N沟道 耐压:55V 电流:300mA
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- 描述
- 特性：55V，0.3A，RDS(ON) = 1.2Ω@VGS = 10V。 改进的dv/dt能力。 快速开关。 提供绿色环保器件。 内置G-S ESD保护二极管。 ESD防护能力高达2KV。应用：电机驱动。 电动工具
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- BSS138LT1G-MS
- 商品编号
- C5343308
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 25.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 17pF |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 12V，-5.5A，VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 25mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 有环保器件可供选择
应用领域
- 笔记本电脑-负载开关-电池保护-手持仪器