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FDV301N
1个N沟道 耐压:30V 电流:250mA
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- 描述
- 这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- FDV301N
- 商品编号
- C5343307
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 30.6pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.5pF |
优惠活动
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(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
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