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SI2333DDS-T1-GE3-MS
1个P沟道 耐压:12V 电流:5.5A
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- 描述
- P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI2333DDS-T1-GE3-MS
- 商品编号
- C5343298
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.44nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 40V、4A，VGS = 10V时，RDS(ON) = 36mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 有环保器件可供选择
应用领域
- 主板/显卡/Vcore-负载开关-手持仪器