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SI2309CDS-T1-GE3-MS
1个P沟道 耐压:60V 电流:1.8A
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- 描述
- 特性：60V, -1.8A, RDS(ON) = 200mΩ@VGS = -10V。 改进的dv/dt能力。 快速开关。 有绿色环保器件可选。应用：电机驱动。 电动工具
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI2309CDS-T1-GE3-MS
- 商品编号
- C5343293
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V,1.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 425pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -80A
- 栅源电压（VGS） = -10V 时，导通电阻（RDS(ON)）≤8mΩ
- 栅源电压（VGS） = -4.5V 时，导通电阻（RDS(ON)）≤11mΩ
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换