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MPQ5850GJ-AEC1-Z
36V智能二极管控制器，带反向保护，符合AEC-Q100标准
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- 描述
- MPQ5850是一款智能二极管控制器，可驱动外部N沟道MOSFET，以替代肖特基二极管实现反向输入保护。该器件的20mV超低压降可将功率损耗降至最低，并能实现较低的最小输入电压，这使得MPQ5850非常适合汽车应用中的冷启动条件。4μA的关断电流也使该器件成为电池供电应用的理想选择。超快速瞬态响应满足严格的ISO16750要求。MPQ5850集成了内部升压电路，即使在低输入电压（VIN）下，也能提供开启外部N沟道MOSFET所需的升压电压。漏极开路的电源正常信号可指示外部N沟道MOSFET何时完全导通。MPQ5850采用TSOT23 - 8（2mmx3mm）封装。
- 品牌名称
- MPS(芯源)
- 商品型号
- MPQ5850GJ-AEC1-Z
- 商品编号
- C5340032
- 商品封装
- TSOT-23-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.023克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 理想二极管/ORing控制器 | |
| 输入电压(Vin) | 3.3V~36V | |
| FET类型 | 外置FET | |
| 栅极驱动电压 | 12V | |
| 正向压降(Vf) | 20mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 静态电流(Iq) | 30uA | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 拉电流(IOH) | 170mA | |
| 灌电流(IOL) | 430mA |
商品概述
MPQ5850是一款智能二极管控制器，可驱动外部N沟道MOSFET，以替代肖特基二极管实现反向输入保护。该器件的20mV超低压降可将功率损耗降至最低，并能实现较低的最小输入电压，这使得MPQ5850非常适合汽车应用中的冷启动条件。4μA的关断电流也使该器件成为电池供电应用的理想选择。超快速瞬态响应满足严格的ISO16750要求。 MPQ5850集成了内部升压电路，即使在低输入电压（VIN）下，也能提供开启外部N沟道MOSFET所需的升压电压。漏极开路的电源正常信号可指示外部N沟道MOSFET何时完全导通。 MPQ5850采用TSOT23 - 8（2mmx3mm）封装。
商品特性
- 专为应对严苛的汽车瞬态情况而设计：
- -36V阻断电压
- 高达42V的负载突降
- 冷启动低至0V
- 可整流高达100kHz的交流频率
- 强大的栅极驱动能力：170mA上拉和430mA下拉
- 延长车辆电池使用寿命
- 减小电路板尺寸：
- 采用TSOT23 - 8（2mmx3mm）封装
- 20mV超低压降
- 集成升压转换器
- 针对RES失调、快速上拉和器件禁用提供电源正常（PG）指示
- 符合AEC - Q100 1级标准
应用领域
- 汽车系统保护
- 汽车ADAS系统（摄像头）
- 汽车信息娱乐系统，包括数字仪表盘和主机
- 电池供电系统