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2N7002K
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.5A
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- 描述
- N沟道增强型MOSFET，超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。性能可靠且坚固耐用
- 品牌名称
- SHIKUES(时科)
- 商品型号
- 2N7002K
- 商品编号
- C5334581
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 60 V / 0.5 A,在VGS = 10 V、Id = 0.5 A条件下,RDS(ON) = 2000 mΩ(最大值)
- 在VGS = 4.5 V、Id = 0.2 A条件下,RDS(ON) = 2500 mΩ(最大值)
- 在VGS = 2.5 V、Id = 0.1 A条件下,RDS(ON) = 4500 mΩ(最大值)
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 可靠耐用
- ESD保护:HBM ≥ 1.5 KV
- 表面贴装封装采用SOT - 23
应用领域
-台式计算机电源管理或DC/DC转换器