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SK2301AAVP
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.4A
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- 描述
- 采用沟槽功率低压MOSFET技术。具有高功率和电流处理能力。栅极电荷低
- 品牌名称
- SHIKUES(时科)
- 商品型号
- SK2301AAVP
- 商品编号
- C5334584
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 64mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术-高功率和电流处理能力-低栅极电荷-标记:A1SHB
应用领域
-PWM应用-电源管理-负载开关