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2N7002T
1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
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- 描述
- 特性：低导通电阻。低栅极阈值电压。低输入电容。ESD防护高达1kV (HBM)。符合RoHS标准。绿色EMC。哑光镀锡(Sn)引脚表面处理。重量：约0.002g
- 品牌名称
- SHIKUES(时科)
- 商品型号
- 2N7002T
- 商品编号
- C5334589
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@10V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
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