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SDV301N3
1个N沟道 耐压:30V 电流:0.75A
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- 描述
- 特性：30V N-Channel MOSFET High Dense Design.。 RDS(ON) = 300 mΩ (typ.) @ VGS = 4.5 V。 RDS(ON) = 400 mΩ (typ.) @ VGS = 2.5 V。 Reliable and Rugged。 ESD Protected。应用：Portable Equipment and Battery Power Systems
- 品牌名称
- SHIKUES(时科)
- 商品型号
- SDV301N3
- 商品编号
- C5334596
- 商品封装
- SOT-883
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SK05N10A采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 30V N沟道MOSFET高密集设计。
- RDS(ON) = 300 m Ω(典型值),VGS = 4.5 V
- RDS(ON) = 400 m Ω(典型值),VGS = 2.5 V
- 可靠耐用
- 静电保护
应用领域
-便携式设备和电池供电系统