PE4140B-Z

超线性宽带四MOSFET阵列

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描述: 超宽带四通道MOSFET阵列，具有超高线性度和高动态范围，适用于6.0 GHz以上的射频应用。
品牌名称: pSemi(游隼半导体)
商品型号: PE4140B-Z
商品编号: C5336176
商品封装: DFN-6(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

PE4140 是一款超高线性度的无源宽带四 MOSFET 阵列，具有高动态范围性能，能够在超过 6.0 GHz 的频率下工作。该四阵列在所有端口（RF、LO、IF）使用差分信号，可构建使用 -7 dBm 至 +20 dBm LO 功率的混频器。典型应用范围涵盖蜂窝/PCS 基站、无线宽带通信以及机顶盒/电缆调制解调器的频率上/下转换和相位检测。 PE4140 无源宽带四 MOSFET 阵列专为高性能系统（如蜂窝基础设施设备和机顶盒/有线电视系统）的上转换和下转换应用而设计。 PE4140 是各种混频器产品的理想混频器核心，包括采用巴伦或其他单端匹配结构以实现三端口操作的模块级解决方案。这种无源混频器的高性能得益于 pSemi 的 UltraCMOS™ 工艺所提供的极高线性度。

商品特性

终极四 MOSFET 阵列
超高线性度，宽带性能超过 6.0 GHz
适用于混频器应用
上/下转换
低转换损耗
高 LO 隔离度
采用 3x3 mm 6 引脚 DFN 小封装

应用领域

蜂窝/PCS 基站
无线宽带通信
机顶盒/电缆调制解调器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	RF混频器
	RF频率范围	1.7GHz~2.2GHz
	IF频率范围	-
	LO频率范围	1.63GHz~2.13GHz
	通道数	1
	P1dB	22dBm
	IP3	32dBm
	隔离度(L-R)	36dB

	属性	参数值
	隔离度(L-I)	26dB
	增益/损耗	8.5dB
	噪声系数	-
	工作电压	-
	工作电流	-
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	单端/差分接口集成