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SK14N10-P8实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SK14N10-P8

1个N沟道 耐压:100V 电流:13.5A

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描述
SK14N10 - P8是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET,为大多数AC/DC快充同步整流应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷特性。
品牌名称
SHIKUES(时科)
商品型号
SK14N10-P8
商品编号
C5334587
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.22克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)13.5A
导通电阻(RDS(on))8mΩ@10V,13.5A
耗散功率(Pd)3.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)60nC@10V
输入电容(Ciss)3.32nF@50V
反向传输电容(Crss)20pF@50V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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(2500个/圆盘,最小起订量 5 个)
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