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SK14N10-P8
1个N沟道 耐压:100V 电流:13.5A
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- 描述
- SK14N10 - P8是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，为大多数AC/DC快充同步整流应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷特性。
- 品牌名称
- SHIKUES(时科)
- 商品型号
- SK14N10-P8
- 商品编号
- C5334587
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UTC 2N65是一款高压功率MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC - DC转换器和桥接电路等高速开关应用。
商品特性
- 100% 保证耐雪崩能力(EAS)
- 低导通电阻(RDS(ON))
- 低栅极电荷
- 符合 RoHS 标准且无卤
应用领域
-电源-PWM电机控制-高效DC-DC转换器-桥接电路