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SK2301AVP
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.4A
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- 描述
- 采用沟槽功率低压MOSFET技术。具备高功率和电流处理能力。低栅极电荷
- 品牌名称
- SHIKUES(时科)
- 商品型号
- SK2301AVP
- 商品编号
- C5334582
- 商品封装
- SC-59
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 64mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 采用小型薄型封装，占用空间小
- 高速开关
- 栅极电荷小：QSW = 19 nC（典型值）
- 漏源导通电阻低：RDS(ON) = 4.3 mΩ（典型值）
- 正向传输导纳高：|Yfs| = 118 S（典型值）
- 漏电流低：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 60 V）
- 增强型：Vth = 1.3 至 2.3 V（VDS = 10 V，ID = 1.0 mA）
应用领域
-PWM应用-电源管理-负载开关