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2SK1062(TE85L,F)
1个N沟道 耐压:60V 电流:200mA
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- 描述
- 特性：出色的开关时间：ton = 14 ns（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 100 mS（最小值），ID = 50 mA。 低导通电阻：RDS(ON) = 0.6 Ω（典型值）@ ID = 50 mA。 增强模式。 与2SJ168互补。应用：高速开关应用。 模拟开关应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- 2SK1062(TE85L,F)
- 商品编号
- C5331494
- 商品封装
- SC-59
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 65pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品特性
- 出色的开关时间:导通时间 ton = 14 ns(典型值)
- 高正向传输导纳:|Yfs| = 100 ms(最小值)
- 低导通电阻:在 ID = 50 mA 时,RDS (ON) = 0.6 Ω(典型值)
- 增强型
- 与 2SJ168 互补
应用领域
- 高速开关应用
- 模拟开关应用
- 接口应用