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TPHR8504PL,L1Q(M
1个N沟道 耐压:40V
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- 描述
- 特性：高速开关。 小栅极电荷：QSW = 23 nC（典型值）。 小输出电荷：QSS = 85.4 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)。 增强模式：Vth = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPHR8504PL,L1Q(M
- 商品编号
- C5331611
- 商品封装
- SOP-8Advance
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.166克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 103nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.37nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.93nF |
商品特性
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 小型封装，尺寸为 1.6 x 1.6 mm
- 栅极具备 ESD 保护
- ESD 保护能力：2000V
- 产品材料符合 RoHS 要求且无卤
- S 前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且可提供生产件批准程序 (PPAP) 文件
应用领域
- 电源管理负载开关
- 电平转换
- 便携式应用，如手机、媒体播放器、数码相机、个人数字助理 (PDA)、视频游戏、手持电脑等
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- C232E104K4SC000
- C823D471J60C000
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