温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SSM3K09FU,LF
N沟道MOS型场效应晶体管高速开关应用
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 适用于高速开关应用，小封装，低导通电阻。导通电阻最大值：Rₒₙ = 0.7Ω（VGS = 10V时）；Rₒₙ = 1.2Ω（VGS = 4V时）
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3K09FU,LF
- 商品编号
- C5331527
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.106克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 20pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 16pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、中功率DFN2020MD - 6（SOT1220）表面贴装器件（SMD）塑料封装的P沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 扩展温度范围Tj = 175°C
- 侧面可焊边，便于光学焊料检查
- 静电放电（ESD）保护 >1 kV HBM（H1C类）
- 沟槽MOSFET技术
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
- 直流到直流转换-高速线路驱动器-高端负载开关-开关电路