TK80E08K3(S1,Q,D)

先进沟槽技术 出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷

• 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 7.5 , \textmΩ(典型值)
• 高正向传输导纳:\left| Yfs\right| = 135;S(典型值)
• 低漏电流:IDSS = 10\mu A(最大值)(VDS = 75V)
• 增强型:Vth = 2.0 \sim 4.0 V(VDS = 10 V, ID = 1 mA)

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