- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TK80E08K3(S1,Q,D)
TK80E08K3(S1,Q,D)
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK80E08K3(S1,Q,D)
- 商品编号
- C5331585
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 350pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
先进沟槽技术 出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 7.5 , \textmΩ(典型值)
- 高正向传输导纳:\left| Yfs\right| = 135;S(典型值)
- 低漏电流:IDSS = 10\mu A(最大值)(VDS = 75V)
- 增强型:Vth = 2.0 \sim 4.0 V(VDS = 10 V, ID = 1 mA)
应用领域
- 计算机
- 个人设备
- 办公设备
- 测量设备
- 工业机器人
- 家用电器
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- TLP292(GR-TPR,E
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