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SSM6K504NU,LF
1个N沟道 耐压:30V 电流:9A
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- 描述
- 特性：4.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 26 mΩ (最大值) (VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 19.5 mΩ (最大值) (VGS = 10V)。应用：高速开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6K504NU,LF
- 商品编号
- C5331530
- 商品封装
- UDFN-6B
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的中功率DFN2020MD - 6（SOT1220）表面贴装器件（SMD）塑料封装N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 扩展温度范围Tj = 175°C
- 可侧焊引脚，便于光学焊锡检查
- 静电放电（ESD）保护>2 kV HBM（H2类）
- 沟槽MOSFET技术
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
- 直流到直流转换
- 高速线路驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路