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TK7A90E,S4X(S
1个N沟道 耐压:900V
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.6 Ω (典型值)。 低漏电流：IDSS = 10 μA (最大值) (VDS = 720 V)。 增强模式：VtA = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.7 mA)。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK7A90E,S4X(S
- 商品编号
- C5331584
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.75126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
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