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TPM3415ES3-1
耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM3415ES3-1
- 商品编号
- C5310937
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1811nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 114.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
2NM65是一款超结MOSFET结构器件。它采用先进的平面条纹DMOS技术，为客户提供出色的开关性能和极低的导通电阻。 2NM65广泛应用于基于半桥拓扑的电子灯镇流器、高效开关模式电源、有源功率因数校正等领域。
商品特性
- 在VGS = 10V、ID = 1.0A条件下，RDS(ON) ≤ 2.52Ω
- 快速开关能力
- 规定了雪崩能量
- 改善了dv/dt能力，具有高耐用性
应用领域
-负载/电源开关-接口开关-逻辑电平转换