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FDS4435BZ
30V 12A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- FDS4435BZ
- 商品编号
- C5310972
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V；14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
LX2300结合先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于作为负载开关或PWM应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20 V，漏极电流（ID） = 6 A
- 漏源电压（VDS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 28 mΩ
- 漏源电压（VDS） = 2.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 33 mΩ
- 高功率和大电流处理能力
- 引脚无铅且符合RoHS标准
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理