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TPM2P106PS8-1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM2P106PS8-1

耐压:60V 电流:3.3A

描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
TPM2P106PS8-1
商品编号
C5310998
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.25克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)3.3A
导通电阻(RDS(on))130mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)19.4nC@10V
输入电容(Ciss)1.03nF
反向传输电容(Crss)38.7pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • VDS = 30V,ID = 5.8A
  • 当VGS = 2.5 V时,RDS(ON) < 59 mΩ
  • 当VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 45 mΩ
  • 当VGS = 10 V时,RDS(ON) < 41 mΩ

应用领域

-DC-DC 转换器-电源管理功能-背光照明

数据手册PDF