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TPNTZD5110NT1G
60V 双 N 沟道增强型 MOSFET
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- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPNTZD5110NT1G
- 商品编号
- C5310957
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 27pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 18pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |