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BSC0703LSATMA1
1个N沟道 耐压:60V 电流:64A
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- 描述
- 特性：适用于高频开关。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61248-2-21标准无卤。 针对充电器进行优化
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC0703LSATMA1
- 商品编号
- C5310877
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 64A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
2N60是一款高压功率MOSFET，设计具备更优异的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效AC - DC转换器和桥接电路等高速开关应用中。
商品特性
- 适用于高频开关
- 经过100%雪崩测试
- 卓越的热阻性能
- N沟道、逻辑电平
- 引脚无铅电镀;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 针对充电器进行优化
应用领域
- 电源
- PWM电机控制
- 高效AC - DC转换器
- 桥接电路