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IPD22N08S2L50ATMA1
1个N沟道 耐压:75V 电流:27A
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- 描述
- 特性：N 通道逻辑电平。增强模式。汽车 AEC Q101 认证。MSL1 最高 260℃ 峰值回流温度。175℃ 工作温度。绿色封装（无铅）。超低导通电阻 Rds(on)。100% 雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD22N08S2L50ATMA1
- 商品编号
- C5311648
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.43克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用超小型DFN1110D - 3（SOT8015）无引脚表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- N沟道逻辑电平 - 增强型
- 通过汽车级AEC Q101认证
- 湿度敏感度等级1级,最高峰值回流温度达260°C
- 工作温度达175°C
- 环保封装(无铅)
- 超低导通电阻Rds(on)
- 100%雪崩测试
应用领域
- 继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路
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