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IPG20N10S4L35ATMA1
2个N沟道 耐压:100V 电流:20A
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- 描述
- 特性：双N沟道逻辑电平增强模式。 通过AEC Q101认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPG20N10S4L35ATMA1
- 商品编号
- C5311650
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V,17A | |
| 耗散功率(Pd) | 43W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.105nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 共源 |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 沟槽MOSFET技术
- 低阈值电压
- 极快的开关速度
- 增强的功耗能力：P_tot = 980 mW
- 静电放电（ESD）保护2 kV HBM
应用领域
- LED驱动器-电源管理-高端负载开关-开关电路
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