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IPG20N10S4L35ATMA1
2个N沟道 耐压:100V 电流:20A
- 品牌名称Infineon(英飞凌)
商品型号
IPG20N10S4L35ATMA1商品编号
C5311650商品封装
TDSON-8包装方式
编带
商品毛重
0.127克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 35mΩ@17A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 43W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.1V@16uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 17.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.105nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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