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BSC0704LSATMA1
MOSFET OptiMOs功率晶体管，60 V，SuperSO8封装
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- 描述
- 特性：适用于高频开关。 针对充电器进行了优化。 100%雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC0704LSATMA1
- 商品编号
- C5311649
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.7mΩ@10V；11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@14uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 970pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
应用领域
- 电池保护-负载开关-电源管理
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